Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd pakub erinevaid lainepikkusi 365 nm kuni 1550 nm. Suhe infrapuna LED, lainepikkuse võib olla: 660nm 680nm 690 nm 700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800 nm 810 nm 820nm 830nm 850nm 860Nm 870nm 880nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980 nm 1000nm 1020nm 1050nm 1200nm 1300nm 1500nm 1550nm. UV-LED-i puhul võib lainepikkus olla 365 nm 370 nm 380 nm 390 nm 400 nm 410 nm 420 nm 430 nm jne. Saadaval on ka muu lainepikkus, mille valmistab AlGaAs / AlGaAs materjali infrapunakiip. Nendel LED-idel on stabiilne jõudlus ja pikk eluiga. 3528 SMD LED 750 ei võimalda GaAlAs-ga GaAs-tehnoloogias suure efektiivsusega infrapuna-kiirgavat dioodi, mis on vormitud läbipaistvatest valgetest läbipaistvatest plastpakenditest. Võrreldes GaAs-tehnoloogia standardsete GaA-dega saavutavad need kiirgajad rohkem kui 100% raadiovõimsuse paranemine sarnase lainepikkusega. Edasised pinged väikese voolu ja suure impulssvoolu korral vastavad ligikaudu standardtehnoloogia madalatele väärtustele. Seetõttu sobivad need kiirgajad ideaalselt tavaliste kiirgurite suure jõudlusega asendajateks. Punase täpiga infrapuna-LED-i lainepikkuse tolerants on ± 10 nm. IR-paar

- mõõtmete parameetrid -

Need SMD LED-ümbrised on saadaval ka IR-LED-i, UV-LED-i, sinise SMD-LEDi, punase SMD-LEDi ja merevaigukollase LED-i jaoks.

- värvi eraldamine -

- elektrilised parameetrid

Absoluutne maksimaalne hinnang Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optilised ja elektrilised omadused ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 750nm LED -

- Kuldse traadi ühendus -

* LED-ide pika eluea säilitamiseks kasutab BestLEDi tehas vooluühenduse ühendamiseks kõrget puhast kuldtraati

- pakkimine -

* Pakendame selle vaakumpakendiga pärast kleeplinti rullina

-Rakendus-

- Seotud IR LED -

- 750nm LED kasutamine -