-Infrapuna LED-lambid

503IRC-81L/14I80-30A

Pakkisime selle 810nm LED -i 5 mm läbipaistva läätse ja 30 -kraadise objektiiviga. Kuid infrapuna kiirgajate 5 mm infrapuna-LED-i jaoks on selle läbiva avaga infrapuna-LED-i jaoks ka muud valikut, näiteks saame selle 810 nm LED-i pakendada helesinise selge läätse, musta läätse ja sügavsinise läätsega. Turul saab 810nm LED -i kasutada pildi kontrastsuse parandamiseks, lihtsustades mustrite lugemist salvestatud piltidelt. Lisaks on kaamera sensoritel suurem tundlikkus 810 nm juures. See tähendab, et sama optilise väljundi korral laiendavad kaamerasüsteemid vahemikku võrreldes 850 nm süsteemiga. 810 nm LED -e kasutatakse laialdaselt ka mõnede meditsiiniseadmete ja -vahendite jaoks. Kas vajate oma projekti jaoks umbes 5 mm 810nm? Võtke meiega ühendust! Teie valikul on erinevaid objektiive, kiirgust, kuju, suurust.

- Size: 5 mm - Chip Number: 1 chips - Color: 810nm  - Type: water clear - Chip brand: Tyntek

- Different color are available - Different wavelength are available - Warranty: 5 Years - RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output - Long life-solid state reliability - Low Power consumption -Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance

- Läbimõõduga IR läbimõõduga 5 mm LED -

* See juhtum on saadaval ka teisi LED, näiteks: 5mm roheline läbiva ava LED, UV LED, 660nm LED, 940nm LED, 5mm sinine läbiva ava LED, kollane LED, merevaigust LED jne *

- Läbi aukude töötav IR -LED -

*Fotol olevad värvid võeti kaameraga, palun võtke standardne tegelik kiirgav värv.

- Läbi aukude IR LED parameeter -

Absoluutne maksimaalne hinnang Ta = 25 ℃ juures

Parameter	Symbol	Rating	Unit
Power Dissipation	Pd	100	mW
Pulse Forward Current	IFP	1000	mA
Forward Current	IF	100	mA
Reverse Voltage	VR	5	V
Junction Temperature	Tj	115	°C
Operating Temperature	Topr	-40 ~ +80	°C
Storage Temperature Range	Tstg	-40 ~ +100	°C
Soldering Temperature	Tsol	260	°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000	V
Service life under normal conditions	Time	80000	H
Warranty	Time	5	Years
Antistatic bag	Piece	1000	Back

*Impulsi edasivoolu seisund: Toll 1% ja impulsi laius = 10us.

*Jootmistingimus: jootmistingimused tuleb lõpetada 3 sekundiga 260 ° C juures

Parameter	Symbol		Min		Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF			1.4		2.2	V	IF=100mA
	VFP			2.5		3.5		IFP=1000mA

Radiant Intensity	IE	75		90	mW/sr	IF=100mA
			250			IFP=1000mA
Total Radiated Power	PO		200		mw	IF=100mA
			2000			IFP=1000mA
Peak Wavelength	λP	800	805	810	nm	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±15		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	tr		15		ns	IF=100mA
Fall Time	tf		6		ns	IF=100mA

* Valgustugevust mõõdetakse ZWL600 abil.

* q 1/2 on teljeväline nurk, mille juures valgustugevus on pool aksiaalsest valgustugevusest.

* l P tuleneb CIE värviskeemist ja tähistab seadme lainepikkust, mis määrab seadme värvi.

- kuldse traadi ühendamine -

* Iga LED -i pika eluea säilitamiseks kasutab BestLED tehas sisemise vooluahela ühendamiseks kõrget puhtast kullast traati

- IR LED pakkimine -

*Saame selle LED -i pakendada suvalise arvu pakenditega ja kleepida või painutada LED -tihvte vastavalt teie nõudmistele.

- seotud infrapuna LED -

- tootmisprotsess -

- Läbipaistev IR -LED -